ZnGeP2 - Optik Nonlinier Infrabeureum Jenuh
Panjelasan Produk
Alatan sipat unik ieu, dipikawanoh salaku salah sahiji bahan paling ngajangjikeun pikeun aplikasi optik nonlinier. ZnGeP2 tiasa ngahasilkeun 3-5 μm laser tunable kontinyu kaluar nempatkeun ngaliwatan téhnologi osilasi parametrik optik (OPO). Lasers, beroperasi dina jandela transmisi atmosfir 3-5 μm penting pisan pikeun loba aplikasi, kayaning ukuran counter infra red, pangawas kimiawi, aparat médis, sarta sensing jauh.
Kami tiasa nawiskeun ZnGeP2 kualitas optik anu luhur sareng koefisien nyerep pisan rendah α <0.05 cm-1 (dina panjang gelombang pompa 2.0-2.1 µm), anu tiasa dianggo pikeun ngahasilkeun laser tunable pertengahan infra red kalayan efisiensi anu luhur ngaliwatan prosés OPO atanapi OPA.
Kapasitas Urang
Téknologi Lapangan Suhu Dinamis diciptakeun sareng diterapkeun pikeun nyintésis polikristalin ZnGeP2. Ngaliwatan téhnologi ieu, leuwih ti 500g purity tinggi ZnGeP2 polycrystalline kalawan séréal badag geus disintésis dina hiji ngajalankeun.
Metoda Freeze Gradién Horizontal digabungkeun sareng Téknologi Necking Directional (anu tiasa nurunkeun kapadetan dislokasi sacara éfisién) parantos suksés diterapkeun kana kamekaran ZnGeP2 kualitas luhur.
ZnGeP2 kualitas luhur tingkat kilogram kalayan diaméter panggedéna sadunya (Φ55 mm) parantos hasil dipelak ku metode Vertical Gradient Freeze.
The roughness permukaan jeung flatness sahiji alat kristal, kirang ti 5Å na 1/8λ mungguh, geus diala ku téhnologi perlakuan permukaan rupa bubu urang.
Panyimpangan sudut ahir alat kristal kirang ti 0.1 gelar kusabab aplikasi orientasi anu tepat sareng téknik motong anu tepat.
Alat-alat anu gaduh prestasi anu saé parantos dihontal kusabab kualitas kristal anu luhur sareng téknologi pamrosésan kristal tingkat luhur (Laser tunable infra red pertengahan 3-5μm parantos dibangkitkeun kalayan efisiensi konvérsi langkung ageung ti 56% nalika dipompa ku lampu 2μm. sumber).
Grup panalungtikan urang, ngaliwatan Éksplorasi kontinyu sarta inovasi teknis, geus hasil mastered téhnologi sintésis of-purity tinggi ZnGeP2 polycrystalline, téhnologi tumuwuhna ukuranana badag sarta kualitas luhur ZnGeP2 sarta orientasi kristal jeung téhnologi processing-precision tinggi; bisa nyadiakeun alat ZnGeP2 jeung kristal aslina sakumaha-dipelak dina skala massa kalawan uniformity tinggi, koefisien nyerep low, stabilitas alus, sarta efisiensi konversi tinggi. Dina waktos anu sami, kami parantos ngadegkeun sakumpulan platform uji kinerja kristal anu ngajantenkeun kami gaduh kamampuan nyayogikeun jasa uji kinerja kristal pikeun para nasabah.
Aplikasi
● Kadua, katilu, jeung kaopat generasi harmonik CO2-laser
● Generasi paramétrik optik kalayan ngompa dina panjang gelombang 2,0 µm
● Kadua generasi harmonik CO-laser
● Ngahasilkeun radiasi koheren dina submilimeter rentang ti 70,0 µm nepi ka 1000 µm
● Generasi frékuénsi digabungkeun tina CO2- sarta CO-laser radiasi na lasers séjén anu bisa dipake di wewengkon transparansi kristal.
Pasipatan dasar
| Kimia | ZnGeP2 |
| Kristal Simétri jeung Kelas | tétragonal, -42m |
| Parameter kisi | a = 5,467 Å c = 12,736 Å |
| Kapadetan | 4,162 g/cm3 |
| Mohs Teu karasa | 5.5 |
| Kelas optik | Uniaxial positif |
| Rentang Transmisi Pamaké | 2.0 um - 10.0 um |
| Konduktivitas termal @ T = 293 K | 35 W/m∙K (⊥c) 36 W/m∙K ( ∥ c) |
| Ékspansi termal @ T = 293 K nepi ka 573 K | 17,5 x 106 K-1 (⊥c) 15,9 x 106 K-1 ( ∥ c) |
Parameter Téknis
| Toleransi diaméterna | +0/-0,1 mm |
| Toleransi Panjang | ± 0,1 mm |
| Orientasi Toleransi | <30 arcmin |
| Kualitas permukaan | 20-10 SD |
| Karataan | <λ/4@632.8 nm |
| Paralélisme | <30 arcsec |
| Perpendicularity | <5 arcmin |
| Chamfer | <0,1 mm x 45° |
| rentang transparansi | 0.75 - 12.0 ?m |
| Koéfisién nonlinier | d36 = 68,9 pm/V (dina 10,6μm) d36 = 75,0 pm/V (dina 9,6 μm) |
| Karuksakan bangbarung | 60 MW/cm2 ,150ns@10.6μm |
